Измерение фотоэлектрических характеристик светочувствительных датчиков с высокими техническими характеристиками и недорогой конструкцией позволяет сэкономить ваш бюджет и получить такое же образовательное содержание.
Основное экспериментальное содержание
1, понимание основных характеристик фоторезисторов, кремниевых фотоэлементов, фотодиодов, фототранзисторов, измерение их кривой вольтамперометрической характеристики и кривой световой характеристики.
2, применение экспериментов: использование светочувствительных компонентов для изготовления светочувствительных переключателей.
Основные технические параметры
1, напряжение питания: 220В ± 10%; 50 Гц ± 5%; потребляемая мощность < 50 Вт.
2, экспериментальный источник питания постоянного тока: ± 2 В, ± 4 В, ± 6 В, ± 8 В, ± 10 В, ± 12 В шесть файлов, выходная мощность
Все ≤ 0,3 А, регулируемый источник питания 0 ~ 24 В, выходной ток ≤ 1 А.
3, источник света: вольфрамовая лампа, освещенность около 0 ~ 300 люкс, можно непрерывно менять, изменяя напряжение питания.
4, трехс половиной разрядный вольтметр: диапазон 200 мВ; 2В; 20В, разрешение 0,1мВ; 1 мВ ; 10 мВ.
5. Закрытый оптический путь: длина около 200 мм.
6, после увеличения конфигурации могут быть открыты прикладные дизайнерские эксперименты: как простой люксметр.
